Tuotteen kuvaus

Piikarbidi (SiC) on laaja{0}}kaistavälinen puolijohdemateriaali ja tärkeä ympäristöystävällinen,-tehokas keramiikka. Sitä käytetään laajalti korkean -lämpötilojen, korkean "Vihreänä materiaalina" piikarbidi edistää merkittävästi energiansäästöä ja päästöjen vähentämistä, erityisesti uusien energia- ja sähköajoneuvojen aloilla.

Silicon Carbide Green Material

Tuotteen nimi	Piikarbidin vihreä materiaali
Materiaali	Piikarbidi
Puhtaus	99.1%-99.6%
Väri	Räätälöity asiakkaan vaatimusten mukaan
koko	*10mm 10mm - 100mm * 100mm**Räätälöity asiakkaan vaatimusten mukaan
Halkaisija φ	10mm-400mm
Paksuus	2mm-150mm
Pakkaus	Pahvi/lava/puinen kotelo (asiakkaan vaatimuksen mukaan)
Toimitusaika	Vakiotuote-3 päivän kuluessa
Kohteiden suunnittelu	Asiakkaan piirustuksen tai näytteiden mukaan
Ominaisuudet	Hyvä laatu, alhainen hinta, useita tehtaita, toimita sinulle lähimpänä sijaitsevan tehtaan perusteella
Sovellus	Teollinen keramiikka
Todistus	ISO, CE

Tuotteiden suorituskyky

Piikarbidilla on erinomaiset lämpö-, sähkö- ja mekaaniset ominaisuudet. Sillä on korkea lämmönjohtavuus, erinomainen lämmönkestävyys, ja se voi toimia vakaasti korkeissa-lämpötiloissa. Sähköisesti siinä on korkea läpilyöntisähkökentän voimakkuus ja elektronien kyllästymisnopeus, joten se soveltuu erittäin -suuritaajuisille ja{4}}suurtehoisille laitteille. Lisäksi piikarbidilla on korkea kovuus, kulutuskestävyys ja kemiallinen inertisyys.

Tuotteet Sovellukset

Piikarbidia käytetään laajasti:
Tehoelektroniikka: Laitteet, kuten SiC MOSFETit ja -diodit, joita käytetään inverttereissä, muuntimissa ja virtalähteissä.
Uusi energia: aurinkoinvertterit ja tuulivoimajärjestelmät.
Sähköajoneuvot: moottoriohjaimet,{0}}laturit ja pikalatausjärjestelmät.
Teolliset sovellukset: Korkean{0}}lämpötilojen lämmityselementit, hankaavat materiaalit ja kulumista{1}}kestävät komponentit.
Ilmailu ja puolustus: korkean-lämpötilojen ja{1}}korkeataajuiset elektroniset laitteet.
LED-valaistus: korkean{0}}kirkkaiden LEDien substraattimateriaalina.

Keramiikan suorituskykyparametri

Määrä	Suorituskyky	Yksikkö	Piikarbidi	Piikarbidi
			Piikarbidi	Piikarbidi
			SiSiC	SiC
1	Tiheys	g/cm3	3.05	3.0-3.1
2	Taivutusvoima	MPa	250	450-500
3	Murtuman sitkeys	MPa·m1/2	4	4
4	Dielektrisyysvakio	εr(20 astetta, 1MHz)	9~10	9~10
5	Kovuus	GPa	20	24
	Kovuus	HRC	85	87
6	Tilavuusvastus	Ω·cm (20 astetta)	10-2~1012	10-2~103
7	Elastinen moduuli	GPa	330	440
8	Lämpölaajenemiskerroin	×10-6/k	4.5	4.1
9	Puristusvoima	MPa	550	2500
10	Hankaumat	g/cm2	0.01	0.01
11	Lämmönjohtavuus	W/m × k (20 astetta)	45	84
12	Poissonin suhde	/	0.16	0.16
13	Eristyksen vahvuus	kv/mm		100
14	Lämpötila	tutkinnon	1380	1600