Tuotteen kuvaus

Piikarbidi (usein lyhennettynä SiC ja tunnetaan muilla kielillä nimellä Siliziumcarbid, Carburo de Silicio tai Carbure de Silicium) on monipuolinen edistyksellinen materiaali. Puolijohteiden valmistuksen yhteydessä piikarbidiharkot viittaavat lieriömäiseen yksikiteiseen piikarbidiin, joka on valmistettu kiteenkasvatustekniikoilla, kuten PVT-menetelmällä. Elektronisissa sovelluksissa tämä prosessi vaatii erittäin -korkean puhtauden esiastemateriaaleja tiettyjen polytyyppien (kuten 4H-SiC ja 6H-SiC) harkkojen kasvattamiseksi. Puhtausaste saavuttaa usein 4N (99,99 %) ja 5N (99,999 %) korkean suorituskyvyn{11}}laitteissa. Sitä vastoin teollisuuskeramiikassa sintrattu piikarbidi tai reaktiosidottu piikarbidi valmistetaan alhaisemman-puhtausluokan jauheista komponentteja, kuten mekaanisia tiivisteitä, varten. Yksikiteiset harkot toimivat esiastemateriaalina piikarbidisubstraattien (kiekkojen) valmistuksessa. Viipaloinnin, hionnan ja kiillotuksen jälkeen näistä harkoista tulee perussubstraatteja puolijohdesirujen valmistukseen. Piikarbidi on kolmannen -sukupolven laajakaistainen-puolijohde- ja keraaminen materiaali, jonka suorituskyky ylittää huomattavasti perinteisen piin. Se sopii erityisen hyvin äärimmäisiin käyttöympäristöihin, joissa on korkea lämpötila, korkea jännite, korkea taajuus ja suuri teho. Tätä materiaalia on eri muodoissa, kuten alfapiikarbidina, kuutiomaisena piikarbidina ja elektroniikassa käytetyissä yleisissä 4H-SiC- ja 6H-SiC-polytyypeissä.

tuotteen tiedot

Tuotteen nimi	Piikarbidipiikolonni
Väri	Räätälöity asiakkaan vaatimusten mukaan
koko	Räätälöity asiakkaan vaatimusten mukaan
Pakkaus	Pahvi/lava/puinen kotelo (asiakkaan vaatimuksen mukaan)
Toimitusaika	Vakiotuote-3 päivän kuluessa
Kohteiden suunnittelu	Asiakkaan piirustuksen tai näytteiden mukaan
Ominaisuudet	Hyvä laatu, alhainen hinta, useita tehtaita, toimita sinulle lähimpänä sijaitsevan tehtaan perusteella
Sovellus	Teollinen keramiikka
Todistus	ISO, CE

Silicon Carbide Silicon Column

Tärkeimmät suorituskykyparametrit ja materiaalin ominaisuudet

Piikarbidin ydinsuorituskykyparametrit ja ominaisuudet sekä elektronisissa että teollisissa sovelluksissa ovat poikkeuksellisia:

Kaistan leveys: Piikarbidin kaistaväli on noin 3,2 elektronivolttia (eV) (päävirran 4H-SiC-polytyypille), mikä on noin kolme kertaa piin (1,1 eV) kaistaleveys. Leveä kaistaväli tarkoittaa, että SiC-laitteet voivat toimia vakaasti korkeammissa lämpötiloissa erittäin alhaisella kantoaaltopitoisuudella, mikä vähentää merkittävästi vuotovirran riskiä. Tämän optimaalisen suorituskyvyn saavuttaminen edellyttää korkean -puhtauden (esim. 4N, 5N) piikarbidin käyttöä sähköisesti aktiivisten epäpuhtauksien minimoimiseksi.
Lämmönjohtavuus: Piikarbidilla on erinomainen lämmönjohtavuus, noin 3,7-4,9 W/(cm·K), paljon korkeampi kuin piillä. Tämä ominaisuus on ratkaisevan tärkeä piikarbidilämmityselementeille, piikarbidiputkille, joita käytetään lämpöparin suojaputkina, ja lämmön hallinnassa voimalaitteissa.
Jakokentän voimakkuus ja sähköiset ominaisuudet: SiC:llä on erittäin korkea läpilyönnissä oleva sähkökenttävoimakkuus, noin 2,8 MV/cm. Tämä mahdollistaa tehokkaat, kompaktit teholaitteet. Sen ominaisuudet ulottuvat myös käyttöön piikarbidikeraamisissa levyissä ja levyissä vaativiin ympäristöihin. Toteutunut murtumislujuus riippuu suuresti materiaalin puhtaudesta ja kiteen laadusta.
Mekaaninen ja kemiallinen vakaus: Piikarbidilla on äärimmäinen kovuus (Mohs ~ 9), suuri tiheys ja vahva kulutuskestävyys. Nämä piikarbidimateriaalin ominaisuudet tekevät siitä ihanteellisen piikarbidin mekaanisille tiivisteille, laakereille, suuttimille, holkeille ja vuorauksille. Sen kemiallinen inertisyys mahdollistaa sen käytön piikarbidiupokkaissa ja piikarbidipinnoitussovelluksissa CVD- tai muilla menetelmillä.

tyypillinen sovellus

Näiden erinomaisten ominaisuuksien perusteella piikarbidista käsiteltyjä materiaaleja käytetään korkealaatuisten{0}}tehopuolijohdelaitteiden ja laajan valikoiman teollisia keraamisia komponentteja valmistukseen.

New Energy Vehicles & Power Electronics: Tämä on suurin kasvumarkkina. Inverttereissä ja muuntimissa käytetään piikarbidipuolijohdesubstraatteja (joka on johdettu erittäin -puhtaista 4N/5N-harkista). Toimittajat, kuten Infineon, Wolfspeed ja CREE, ovat avaintoimijoita. Teollisia SiC-keraamisia osia löytyy myös vastaavista järjestelmistä.
Teollisuus- ja prosessitekniikka: Käytetään kulutusta-kestävässä keramiikassa, piikarbiditiivisteissä ja -laakereissa, suuttimissa, piikarbiditiileissä ja tulenkestävissä materiaaleissa sekä pumppujen ja venttiilien komponenteissa. Piikarbidin toimittajat ja valmistajat toimittavat näitä sintrattuja tai reaktio{2}}sidottuja osia, jotka eivät tavallisesti vaadi elektronista-puhtautta.
Uusi energia ja energian varastointi: Aurinkosähköinverttereissä ja varastointijärjestelmissä piikarbidilaitteet (joissa on korkean -puhtaussubstraatit) parantavat tehokkuutta. Piikarbidilämmityselementtejä ja suojaputkia käytetään korkean lämpötilan -teollisissa uuneissa.
Ilmailu-, puolustus- ja huippu{0}}teknologia: Hyödyntämällä sen korkeaa-lämpötilansietokykyä ja rakenteellista vakautta, sitä käytetään piikarbidikomposiitteissa, optisissa komponenteissa ja panssareissa.

Tuotteen parametrit

products parameters

Laadunvalvonta

ISO 9001 -laatujärjestelmän tiukasti noudattaen otamme käyttöön täydellisen-prosessien laadunvalvonnan varmistaaksemme korkealaatuisten tuotteiden johdonmukaisen toimituksen:

• Raaka-aineiden 100 % tarkastus, joka takaa laadun lähteestä
• Kehittyneiden kuuma{0}}puristustuotantolinjojen hyödyntäminen vakaiden ja luotettavien prosessien takaamiseksi
• Kattava sisäinen{0}}testausjärjestelmä, joka kattaa tiheyden, kovuuden ja mikrorakenneanalyysin
• Kolmannen osapuolen -virallisten sertifikaattien saatavuus (mukaan lukien SGS, CE, ROHS jne., toimitetaan pyynnöstä)

Olemme edelleen sitoutuneet johtamisjärjestelmämme jatkuvaan parantamiseen, jotta voimme tarjota asiakkaillemme johdonmukaisen ja luotettavan tuotevarmuuden.

quality control